Dispositivo semi-condutor de potência Mosfet Ixys Ixdn75n120. O IXDN75N120 é um interruptor MOSFET de canal N altamente eficiente da IXYS, concebido para aplicações de comutação exigentes. Com uma tensão nominal de 1200V e uma corrente de dreno contínua de 75A, este componente oferece um desempenho excecional para aplicações de corrente contínua e alternada. A avançada tecnologia de MOSFET de canal Trench assegura baixas resistências de condução e rápidas velocidades de comutação, resultando numa melhoria da eficiência energética. Isto torna-o ideal para uso em fontes de alimentação, controlos de motor e inversores. A IXYS valoriza a fiabilidade e o desempenho. O IXDN75N120 cumpre estes requisitos com o seu design robusto e alta estabilidade térmica. Encomende agora este componente MOSFET de canal N para os seus projetos críticos de eletrónica de potência.
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