Infineon FZ1200R17KF6C_B2 IGBT 晶体管

半导体 IGBT 英飞凌 FZ1200R17KF6C B2。 英飞凌科技的 FZ1200R17KF6C_B2 是一款基于 IGBT 技术(绝缘栅双极晶体管)的功率晶体管。它设计用于需要高效能量转换的高性能变流器和工业电源。该晶体管额定电压为 1700V,电流为 1200A,提供高功率储备。内置的续流二极管提供额外保护并改善开关性能。接插件旨在提供稳健的连接。 FZ1200R17KF6C_B2 被广泛应用于驱动技术、可再生能源和工业电子等多个领域。它适合作为备用件或用于新开发的集成。为您的应用订购功率晶体管。

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技术数据

KTB ID:

1696841

制造商零件号 (MPN):

FZ1200R17KF6C_B2

制造商信息

Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-12, 85579 Neubiberg, 德国

说明

Infineon Technologies AG总部位于Neubiberg,开发和生产用于汽车、工业、消费和物联网应用的半导体解决方案。该公司是半导体行业的全球参与者。

元数据

EUPEC transistor IGBT;p/n: FZ1200R17KF6C_B2

品类

Halbleiter

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IGBT Transistor

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