Transistor IGBT Infineon FZ1200R17KF6C_B2

Halbleiter Igbt Infineon Fz1200r17kf6c B2. O Infineon Technologies FZ1200R17KF6C_B2 é um transistor de potência que se baseia na tecnologia IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada). É projetado para uso em inversores de alta potência e fontes de alimentação industriais, onde a conversão de energia eficiente é necessária. Com uma tensão nominal de 1700V e uma corrente de 1200A, este transistor oferece altas reservas de potência. O diodo de roda livre integrado proporciona proteção adicional e melhora o desempenho de comutação. Os contactos de conexão são projetados para ligações robustas. O FZ1200R17KF6C_B2 é utilizado em várias indústrias, como a tecnologia de acionamento, energias renováveis e eletrónica industrial. É adequado como peça de substituição ou para integração em novos desenvolvimentos. Peça transistores de potência para as suas aplicações.