Transistor IGBT Renesas RJH60F7BDPQ-A0 600V

Transistor Igbt Renesas Rjh60f7bdpq A0. Le Renesas RJH60F7BDPQ-A0 est un transistor IGBT conçu pour des applications en électronique de puissance. Il offre une tension nominale de 600 volts et est logé dans un boîtier robuste TO-247A. Ce boîtier permet une dissipation thermique efficace et une bonne isolation électrique, ce qui est essentiel pour des applications haute puissance. Le composant se distingue par ses propriétés électriques spécifiques, optimisées pour les alimentations à découpage, les onduleurs et d’autres circuits d’électronique de puissance. Les spécifications techniques exactes concernant la capacité de courant et la vitesse de commutation se trouvent dans la fiche technique. Ce transistor convient pour une utilisation dans les alimentations industrielles, les contrôleurs de moteur et les systèmes de conversion d’énergie solaire. Si vous avez besoin d’une pièce de rechange ou d’une alternative pour l’électronique de puissance, vous pouvez maintenant poser une demande.

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Données techniques

ID KTB :

1740418

Référence fabricant (MPN) :

RJH60F7BDPQ-A0

Informations du fabricant

Bockenheimer Landstraße 104, 60323 Francfort-sur-le-Main, Allemagne

Description

Renesas Electronics Corporation est une entreprise japonaise qui développe des produits semi-conducteurs. Elle a été créée en 2010 à la suite de la fusion des divisions semi-conducteurs de NEC et Hitachi.

Métadonnées

RENESAS IGBTransistor Ref: RJH60F7BDPQ-A0' T0-247A;600V

Catégorie

Composants électroniques

Catégorie

Composants électroniques

Renesas

RJH60F7BDPQ-A0

IGBT Transistor

600V

TO-247A

Électronique de puissance

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