Halbleiter Igbt Modul Infineon Fp75r12kt4_b11

Das Infineon IGBT Module FP75R12KT4_B11 ist ein Hochleistungs-Leistungshalbleitermodul, konzipiert für anspruchsvolle industrielle Anwendungen wie Wechselrichter und Stromversorgungen. Es bietet robuste Leistung und Zuverlässigkeit.

Mit einer maximalen Sperrspannung von 1200 Volt und einem kontinuierlichen Kollektorstrom von 75 Ampere eignet sich dieses Modul ideal für Umgebungen, die hohe Energieeffizienz und Leistungsdichte erfordern. Die bewährte IGBT-Technologie gewährleistet geringe Schaltverluste.

Dieses Modul findet breite Anwendung in der industriellen Antriebstechnik, erneuerbaren Energien, wie z.B. Solar-Wechselrichtern, und in netzgekoppelten Systemen. Es ist eine zuverlässige Komponente für die Stromwandlung. Jetzt anfragen für Ihre nächste Applikation.

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Technische Daten

KTB ID:

1686013

Herstellernummer (MPN):

FP75R12KT4_B11

Herstellerinformationen

Infineon Technologies AG; Am Campeon 1-12; 85579 Neubiberg; Deutschland

Beschreibung

Infineon Technologies mit Hauptsitz in Neubiberg ist ein deutscher Halbleiterhersteller. Das Unternehmen wurde 1999 aus der Siemens AG ausgegliedert und bietet verschiedene Halbleiterprodukte an.

Metadaten

INFINEON IGBT Module;FP75R12KT4_B11;;

Kategorie

Halbleiter

Kategorie

Halbleiter

IGBT-Modul

FP75R12KT4_B11

Infineon IGBT

Leistungselektronik

Wechselrichter

Stromversorgung

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