Halbleiter Transistor Infineon Bsm200ga120dn2

Der INFINEON/EUPEC BSM200GA120DN2 Transistor ist eine leistungsstarke Komponente für die Power-Elektronik. Er wurde entwickelt, um hohe Spannungen und Ströme zu verarbeiten und ist somit ideal für anspruchsvolle industrielle Anwendungen.

Mit einer maximalen Sperrspannung von 1200V und einem Nennstrom von bis zu 200A bietet dieser Transistor eine robuste Lösung für Energieumwandlungs- und Steuerungssysteme. Die fortschrittliche Halbleitertechnologie gewährleistet Zuverlässigkeit und Effizienz.

Eingesetzt wird der BSM200GA120DN2 in Bereichen wie Frequenzumrichtern, Motorsteuerungen und Stromversorgungsanlagen. Er ist ein kritischer Bestandteil für OEMs und Instandhaltungsabteilungen, die auf langlebige und leistungsfähige Leistungselektronik angewiesen sind. Fordern Sie jetzt Ihr Angebot an.

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Technische Daten

KTB ID:

1699893

Herstellernummer (MPN):

BSM200GA120DN2

Herstellerinformationen

Infineon Technologies AG; Am Campeon 1-12; 85579 Neubiberg; Deutschland

Beschreibung

Infineon Technologies mit Hauptsitz in Neubiberg ist ein deutscher Halbleiterhersteller. Das Unternehmen wurde 1999 aus der Siemens AG ausgegliedert und bietet verschiedene Halbleiterprodukte an.

Metadaten

INFINEON / EUPEC Transistor;BSM200GA120DN2

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Halbleiter

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