Leistungselektronik Igbt Infineon Technologies Fs35r12yt3

Das Infineon FS35R12YT3 ist ein Hochleistungs-IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) aus der EUPEC-Serie. Es bietet eine herausragende Strombelastbarkeit und Spannungsfestigkeit für anspruchsvolle industrielle Anwendungen.
Dieses robuste Modul gewährleistet zuverlässigen Betrieb und effiziente Leistungsumwandlung. Die integrierte Diode und das schnelle Schalten tragen zur Systemoptimierung bei.
Optimal für den Einsatz in modernen Frequenzumrichtern, Motorsteuerungen und Stromversorgungen. Dieses Modul ist ein direktes Ersatzteil oder eine leistungsfähige Alternative. Jetzt anfragen und Lieferfähigkeit prüfen.

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Technische Daten

KTB ID:

1697588

Herstellerinformationen

Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-12, 85579 Neubiberg, Deutschland

Beschreibung

Infineon Technologies AG mit Hauptsitz in Neubiberg entwickelt und produziert Halbleiterlösungen für Automobil-, Industrie-, Consumer- und IoT-Anwendungen. Das Unternehmen ist ein globaler Akteur im Halbleitersektor.

Metadaten

EUPEC Module FZ1200R16KF4_S1

Kategorie

Leistungselektronik

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