Leistungselektronik Igbt Modul Infineon Fz1800r16kf S1

Das INFINEON FZ1800R16KF-S1 ist ein Hochleistungs-IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) mit einer maximalen Sperrspannung von 2000V und einem Nennstrom von 1800A. Dieses Modul ist für anspruchsvolle industrielle Anwendungen konzipiert, die hohe Leistungsdichte und Zuverlässigkeit erfordern.

Das robuste Design gewährleistet eine ausgezeichnete thermische Leistung und elektrische Stabilität. Mit seinen kompakten Abmessungen und der einfachen Integration ist es ideal für den Einsatz in Stromrichtern, Umrichtern und anderen Leistungselektroniksystemen, wo Effizienz und Belastbarkeit entscheidend sind.

Dieses Modul eignet sich hervorragend für Anwendungen wie Schweißstromversorgungen, industrielle Antriebe und erneuerbare Energien. Bestellen Sie dieses leistungsstarke IGBT-Modul für Ihre anspruchsvollen Projekte noch heute.

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Technische Daten

KTB ID:

1689574

Herstellernummer (MPN):

FZ1800R16KF-S1

Herstellerinformationen

Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-12, 85579 Neubiberg, Deutschland

Beschreibung

Infineon Technologies AG mit Hauptsitz in Neubiberg entwickelt und produziert Halbleiterlösungen für Automobil-, Industrie-, Consumer- und IoT-Anwendungen. Das Unternehmen ist ein globaler Akteur im Halbleitersektor.

Metadaten

EUPEC/INFINEON igbt component;FZ1800R16KF-S1

Kategorie

Leistungselektronik

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IGBT Modul

INFINEON FZ1800R16KF-S1

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