Module de diode Infineon D5810N04T(VF)

Infineon Technologies Module de diode D5810n04tf. Le module de diode IGBT D5810N04T(VF) d’Infineon Technologies représente une solution avancée dans le domaine de l’électronique de puissance. Ce module combine les avantages des IGBTs et des diodes en une seule unité, afin de garantir une haute efficacité et fiabilité dans les applications de commutation rapides. Il est conçu pour être utilisé dans des environnements exigeants et offre d’excellentes performances thermiques ainsi que de faibles pertes de conduction. La fonction de diode intégrée optimise la configuration des systèmes d’électronique de puissance. Ce module est idéal pour une utilisation dans les ondulateurs, les variateurs de fréquence, les alimentations à découpage et d’autres applications haute performance, où un contrôle précis et efficace de l’énergie électrique est requis. Soumettez maintenant une demande de pièce de rechange.

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Kontaktformular

Données techniques

ID KTB :

1724939

Code tarifaire douanier (code SH) :

85411000

Informations du fabricant

Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-12, 85579 Neubiberg, Allemagne

Description

Infineon Technologies AG, dont le siège est à Neubiberg, développe et produit des solutions de semi-conducteurs pour les applications automobiles, industrielles, grand public et IoT. L'entreprise est un acteur mondial dans le secteur des semi-conducteurs.

Métadonnées

INFINION IGBT Diode module;D5810N04T(VF)FXPSA1

Catégorie

Halbleiterbauelemente

Catégorie

Halbleiterbauelemente

Module IGBT

Diodenmodul

Infineon Technologies D5810N04T(VF)

Électronique de puissance

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