INFINEON FZ1800R17HP4_B29 IGBT

Transistor IGBT Halbleiter Infineon FZ1800R17HP4_B29. Le transistor IGBT INFINEON FZ1800R17HP4_B29 est un composant semi-conducteur puissant de la famille Infineon EiceDriver. Il combine les avantages des IGBTs et des thyristors tamponnés, ce qui le rend idéal pour des applications à haute tension et à fort courant. Ce module offre une haute densité de courant et d’excellentes caractéristiques thermiques, garantissant des performances fiables dans des environnements exigeants. La commande de gate intégrée simplifie la mise en œuvre et réduit les composants externes. Les applications se trouvent dans les onduleurs pour les énergies renouvelables, les entraînements industriels, les systèmes de transport et les applications d’électronique de puissance où l’efficacité et la fiabilité sont essentielles. Demandez dès maintenant votre devis.

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Données techniques

ID KTB :

1688602

Référence fabricant (MPN) :

FZ1800R17HP4_B29

Informations du fabricant

Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-12, 85579 Neubiberg, Allemagne

Description

Infineon Technologies AG, dont le siège est à Neubiberg, développe et produit des solutions de semi-conducteurs pour les applications automobiles, industrielles, grand public et IoT. L'entreprise est un acteur mondial dans le secteur des semi-conducteurs.

Métadonnées

INFINEON Transistor;IGBT FZ1800R17HP4_B29

Catégorie

Électronique de puissance

Catégorie

Électronique de puissance

IGBT Transistor

INFINEON FZ1800R17HP4_B29

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