Transistor IGBT Infineon FZ1200R17KF6C_B2

Halbleiter Igbt Infineon Fz1200r17kf6c B2. L’Infineon Technologies FZ1200R17KF6C_B2 è un transistore di potenza basato sulla tecnologia IGBT (Transistor Bipolare a Porta Isolata). È progettato per l’uso in inverter ad alta potenza e nell’alimentazione industriale, dove è necessaria un’efficiente conversione dell’energia. Con una tensione nominale di 1700V e una corrente di 1200A, questo transistore offre alte riserve di potenza. Il diodo di frenaggio integrato fornisce una protezione aggiuntiva e migliori prestazioni di commutazione. I contatti di connessione sono progettati per connessioni robuste. Il FZ1200R17KF6C_B2 viene utilizzato in vari settori come la tecnologia di azionamento, le energie rinnovabili e l’elettronica industriale. È adatto come pezzo di ricambio o per l’integrazione in nuove sviluppazioni. Ordina transistori di potenza per le tue applicazioni.

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Dati tecnici

KTB ID:

1696841

Codice del produttore (MPN):

FZ1200R17KF6C_B2

Informazioni sul produttore

Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-12, 85579 Neubiberg, Germania

Descrizione

Infineon Technologies AG con sede a Neubiberg sviluppa e produce soluzioni di semiconduttori per applicazioni automobilistiche, industriali, di consumo e IoT. L'azienda è un attore globale nel settore dei semiconduttori.

Metadati

EUPEC transistor IGBT;p/n: FZ1200R17KF6C_B2

Categoria

Semiconduttori

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